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短溝道效應- 維基百科，自由的百科全書。

港臺, 短通道效應. 短溝道效應（英語：short-channel effects）是當金屬氧化物半導體場效應管的導電溝道長度降低到十幾納米、甚至幾納米量級時，晶體管出現的一些效應 ...： 。

[PDF] 第一章緒論。

圖1-2、GIDL 偏壓下能帶圖。

圖1-3、GIDL 偏壓下空乏區域圖。

Page 7. 7. 1.3 短通道效應(Short Channel Effects).： 。

[PDF] 國立臺灣師範大學機電科技學系碩士論文指導教授。

比較線性區與飽和區求得之臨界電壓值；在長通道結構時獲得的VT,lin. 與VT,sat 相差無幾，然而當考慮短通道結構之時，由於短通道效應之緣故，. VT,sat 其值通常會低於VT,lin ...。

短通道效應— Google 藝術與文化。

短通道效應是當金屬氧化物半導體場效應管的導電溝道長度降低到十幾奈米、甚至幾奈米量級時，電晶體出現的一些效應。

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[PDF] 具有源極/汲極縛點新式假三閘極垂直式極薄金氧半場效電。

垂直式場效應電晶體. 矽覆絕緣場效應電晶體. 傳統Bulk 元件. 優點. 理想的次臨限擺幅、抑制短. 通道效應、環繞式閘極增加. 驅動電流、通道長度不受限.。

[PDF] 受外界機械應力下功率電晶體。

中，形成次臨限電流的上升、臨限電壓的偏移，特別是在短通道元件. 中容易出現此效應。

圖2-16：n-type MOSFET能帶圖及位能圖[取自薛婉君，11]. 對於低摻雜之N.。

圖片全部顯示。

[PDF] 高介電絕緣層對先進金氧半場效應電晶體元件影響之研究。

短通道效應、汲極引致能障下降(DIBL)等等，使得特性曲線偏移。

為了克服此問題，於是造. 就元件的演進，甚至從元件取代材料著手，目前已知把氧化層材料由原先的二氧化矽 ...： 。

[PDF] BSIM3v3 模型介紹與萃取方法。

二、BSIM3 模型包含的物理效應. (1) 臨界電壓(Threshold Voltage). • 垂直與橫向非均勻載子濃度. • 短通道效應. • 窄通道效應. (2) 載子遷移率(Mobility).： 。

半導體元件物理與製程技術課程 - 工研院產業學院。

本系列課程期望讓學員在短時間內了解半導體奈米元件的物理機制及基本操作原理，如金氧半場效 ... MOSFET短通道效應 ... 至產業學習網（college.itri.org.tw）線上報名.